MOS 管的发展历程如下： – 19世纪30年代，德国人提出了“lilienfeld”场效应晶体管的概念。- 之后贝尔实验室的肖特基等人也尝试研究发明场效应管，但未成功。1949年，Shockley 提出了注入少子的双极性晶体管的概念。- 到了1960年，有人提出用二氧化硅改善双极性晶体管的性能，开关功率 MOS 管由此诞生。它的出现意味着一种非接触式的开关可应用于各种高压场合，为电子电路的发展奠定了基础。- 早期的 MOS 管存在抗静电能力弱、导通阻抗大、输入阻抗小、抗噪声能力差、耐压低等问题，随后通过 MOS 工艺的不断改进，其性能得到了提升。到80年代，MOS 管的电压可以耐1000V，导通阻抗小于1Ω。- 为满足更高工作频率及功率等级的要求，人们又提出了 super junction MOS（超结 MOS）。常规 MOS 存在耐压和导通阻抗成正比的问题，即获得更高耐压值会导致导通电阻上升和 MOS 损耗加大，而 super junction MOS 采用多次注入开槽工艺，很好地解决了这一问题。- 随着行业需求的增长，硅器件由于本身物理特性的限制，已不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。于是，碳化硅（SiC）材料因其优越的物理特性开始受到关注和研究。二十世纪九十年代以来，碳化硅技术得到迅速发展。与广泛应用的 Si 材料相比，SiC 材料具有较高的热导率和禁带宽度，这决定了 SiC 器件的高电流密度、高击穿场强和高工作温度等优秀性能。- 此外，人们发现 Si 材料的局限后，找到了一种新的材料氮化镓（GaN）。它具有耐高温、耐酸耐碱、宽禁带等优良特性，在上世纪90年代应用于发光二极管，本世纪初应用于 MOS 管，如今已大量使用。 MOS 管功率器件的不断进步减少了能源损耗，对人类社会的长远发展具有重要意义。在其发展过程中，不同的结构和工艺被提出和应用，以满足各种不同的需求和应用场景。同时，MOS 管的封装引脚也经历了从插入式到表面贴装式的发展，包括 TO、SOT、SOP、QFN 等多种封装形式，以适应电子设备小型化、集成化的趋势。