国产mos管跟国际先进水平差距

MOSFET 简称金氧半场效晶体管,属于绝缘栅场效应管,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单、辐射强等优点,被广泛用于放大电路或开关电路。中国是全球 MOSFET 主要市场之一,2021年约占全球市场规模的40.5%。受益于国家产业政策扶持和行业技术水平提升等多重利好因素,中国 MOSFET 企业通过产品的高性价比持续提高市场占有率,国产化水平不断提升。但由于起步晚、企业竞争优势不足,目前中国 MOSFET 国产化率仍较低,尤其是超高压 MOSFET,未来中国 MOSFET 行业仍需向高端化发展,以实现高端 MOSFET 产品全面国产替代。 中国 MOSFET 器件市场中,英飞凌排名第一,中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十。华润微作为专注于功率器件的 IDM 公司,基于自身硅基器件设计、制造和销售优势,在国内建设了第一条6吋碳化硅半导体生产线,覆盖从晶圆制造和成品封装,其6吋的 SiC 和 GaN 晶圆线均已稳定量产,如碳化硅 JBS、碳化硅 MOS 能比肩国际先进水平,在消费、工业和汽车领域的较多标杆客户批量出货。扬杰科技已开发上市 G1、G2系 SiC MOS 产品,型号覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ,已实现批量出货,其中1200V SiC MOS 平台的比导通电阻(RSP)可对标国际水平,各类产品已广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。 总的来说,近年来中国在 MOSFET 的研发和生产方面取得了显著进展,并且在一些领域已经达到了国际先进水平。然而,与国际领先水平相比,仍然存在一定的差距,主要体现在技术创新、产品性能、市场份额等方面。但随着中国政府对半导体产业的支持力度不断加大,以及国内企业的不断努力和创新,相信中国的 MOSFET 技术水平将会不断提升,逐渐缩小与国际先进水平的差距。